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接觸器開關(guān)頻繁投切危害自愈式電容器

來源:希拓電氣(常州)有限公司    日期:2019-05-29    瀏覽量:載入中...

       電力電子技術(shù)的發(fā)展對電能質(zhì)量的要求越來越高,而電力電子設(shè)備的增加卻又導(dǎo)致電能質(zhì)量日益惡化,造成諧波,電壓波動,三相不平衡等電網(wǎng)污染,尤其是近年來,由于電網(wǎng)容量的增加,對電網(wǎng)需求也與目俱增。為充分利用設(shè)備的容量,以自愈式低電壓并聯(lián)電容器為主要元件,接觸器或晶閘管模塊為投切開關(guān)的低壓電容無功補償裝置得到廣泛的應(yīng)用。這些裝置一般是將電容器分為若干組,根據(jù)控制物理量的變化,進行電容器的投切。

圖1接觸器投切電容
圖2晶閘管投切電容

       但是,若無功負荷經(jīng)常波動變化,而裝置又需要將cosφ控制在較高水平時,電容器的投切,往往就比較頻繁,從而可能給電容器造成危害,使其早期損壞。以接觸器為投切開關(guān)的低壓電容無功補償裝置,不宜頻繁進行電容器的投切。否則,投切時所產(chǎn)生的過電壓和沖擊電流將對自愈式電容器造成危害,使容量下降,以及絕緣老化加速等,最終使電容器早期損壞。但是晶閘管開關(guān)可以解決這個問題。所以正確選用低壓無功補償電容投切裝置對于保證低壓無功補償設(shè)備的可靠性、經(jīng)濟性及補償效果有著十分重要的意義。

單相晶閘管投切模塊

       希拓電氣晶閘管投切模塊(單相)技術(shù)源自德國,我司在充分消化吸收德國技術(shù)和先進制造工藝的基礎(chǔ)上,研制出了擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的新一代晶閘管投切模塊。模塊主要由雙向晶閘管,觸發(fā)電路,吸收電路,保護電路,智能型散熱片組成。自主專利技術(shù)保證電壓過零觸發(fā),電流過零斷開,真正實現(xiàn)投切無涌流,跟隨速度快,有效補償沖擊性負荷,平均響應(yīng)時間小于18ms,很好地取代傳統(tǒng)投切裝置。

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